“3D晶体管或许有人熟悉有人陌生，实，早已不是什新鲜的概念，最早的耗尽型贫沟晶体管我在1989年就见，基DELTA技术的闸极电晶体业内一重的研究方向。
像伴英特尔早在2002年就外宣传他的3D晶体管设计，风集团很早就始力投入3D晶体管的研。
什人盯着方向，说白了，就是因晶体管的尺寸缩25nm，传统的屏幕尺寸却已经无法缩，那问题就现。
我一屏幕。”
屏幕现了几张技术分析图，“二维结构晶体管世纪60年代始应，现在已使接近半世纪，我注意，随着闸极长度越越，源极汲极的距离越越近，闸极方的氧化物越越薄，从加剧漏电的。
同，原本电子是否由源极流汲极是由闸极电压控制的，但是闸极长度越，闸极与通间的接触面积越，就是闸极通的影响力变了。
尤其是闸极长度缩20纳米的候，些问题格外明显。
原本的源极汲极拉高变立体板状结构，源极汲极间的通变了板状，闸极与通间的接触面积一子就变了。
一即使闸极长度缩……（内容加载失败！）
(ò﹏ò)
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